Magnetronpihustus on uus füüsikaline auruga katmise meetod, võrreldes varasema aurustuskatmise meetodiga on selle eelised paljudes aspektides üsna märkimisväärsed.Küpse tehnoloogiana on magnetroni pihustamist rakendatud paljudes valdkondades.
Magnetroni pihustuspõhimõte:
Pommitatud sihtpooluse (katoodi) ja anoodi vahele lisatakse ortogonaalne magnetväli ja elektriväli ning kõrgvaakumkambrisse täidetakse vajalik inertgaas (tavaliselt Ar gaas).Püsimagnet moodustab sihtmaterjali pinnal 250-350 gausi magnetvälja ja ortogonaalne elektromagnetväli koosneb kõrgepinge elektriväljast.Elektrivälja mõjul moodustub Ar gaas positiivseteks ioonideks ja elektronideks, sihikule ja sellel on teatud negatiivne rõhk, sihtmärgist poolusest magnetvälja mõjul ja töögaasi ionisatsiooni tõenäosuse suurenemine, moodustab suure tihedusega plasma lähedal. katood, Ar ioon lorentsi jõu toimel, kiirendab sihtpinnale lendamist, pommitab sihtpinda suurel kiirusel, Sihtmärgi pihustatud aatomid järgivad impulsi muundamise põhimõtet ja lendavad sihtpinnalt eemale suure kineetikaga energia substraadi sadestuskile.
Magnetroni pihustamine jaguneb üldiselt kahte tüüpi: DC-pihustamine ja RF-pihustamine.Alalisvoolu pihustusseadmete põhimõte on lihtne ja metalli pihustamise kiirus on kiire.Laialdasemalt kasutatakse RF-pihustamist lisaks juhtivate materjalide pihustamisele, aga ka mittejuhtivate materjalide pihustamisele, aga ka oksiidide, nitriidide ja karbiidide ning muude liitmaterjalide reaktiivse pommitamise ettevalmistamisele.Kui raadiosageduse sagedus suureneb, muutub see mikrolaineplasma pihustamiseks.Praegu kasutatakse tavaliselt elektrontsüklotronresonantsi (ECR) tüüpi mikrolaineplasma pihustust.
Magnetroni pihustuskatte sihtmaterjal:
Metallist pihustussihtmaterjal, kattesulami pihustuskattematerjal, keraamiline pihustuskattematerjal, boriidkeraamilised pihustussihtmaterjalid, karbiidkeraamilised pihustussihtmaterjalid, fluoriidkeraamilised pihustussihtmaterjalid, nitriidkeraamilised pihustussihtmärgid, keraamilised nitriidkeraamilised pihustussihtmaterjalid, oksiidkeraamiline keraamiline sihtmärk silitsiidkeraamiline pihustussihtmaterjal, sulfiidkeraamiline pihustussihtmärk, Telluriidi keraamiline pihustusmärk, muu keraamiline sihtmärk, kroomiga legeeritud ränioksiidi keraamiline sihtmärk (CR-SiO), indiumfosfiidsihtmärk (InP), pliiarseniidsihtmärk (PbAs), indiumarseniid sihtmärk (InAs).
Postitusaeg: august 03-2022