Tulekindlate volframmetallide ja volframisulamite eelisteks on kõrge temperatuuri stabiilsus, kõrge vastupidavus elektronide migratsioonile ja kõrge elektronide emissioonikoefitsient.Kõrge puhtusastmega volframi ja volframisulamist sihtmärke kasutatakse peamiselt paiselektroodide, ühendusjuhtmete ja pooljuhtide integraallülituste difusioonitõkkekihtide valmistamiseks.Neil on väga kõrged nõuded puhtusele, lisandite sisaldusele, tihedusele, tera suurusele ja materjalide ühtsele terastruktuurile.Vaatame kõrge puhtusastmega volframi sihtmärgi valmistamist mõjutavaid tegureidby Rich Special Material Co., Ltd.
I. Paagutamistemperatuuri mõju
Volframi sihtmärgi embrüo moodustamise protsess toimub tavaliselt külma isostaatilise rõhu abil.Volframi tera kasvab paagutamise ajal üles.Volframi tera kasv täidab kristallide piiride vahelise tühimiku, suurendades seega volframi sihtmärgi tihedust.Paagutamisaegade pikenemisega aeglustub volframi sihtmärgi tiheduse suurenemine järk-järgult.Peamine põhjus on see, et volframi sihtmaterjali kvaliteet pole pärast mitmeid paagutamisprotsesse palju muutunud.Kuna enamik kristallide piiril olevaid tühimikke on täidetud volframkristallidega, on volframi sihtmärgi üldine suuruse muutumise kiirus pärast iga paagutamisprotsessi väga väike, mistõttu on volframi sihtmärgi tiheduse suurendamiseks piiratud ruum.Paagutamise käigus täidetakse tühimikud suured volframiterad, mille tulemuseks on tihedam ja väiksema suurusega sihtmärk.
2. Mõjuhsööma säilitamise aeg
Samal paagutamistemperatuuril paraneb paagutamisaja pikenemisega volframi sihtmaterjali kompaktsus.Paagutamisaja pikenedes suureneb volframi tera suurus ja paagutamisaja pikenemisega tera suuruse kasvutegur aeglustub järk-järgult.See näitab, et paagutamisaja pikendamine võib parandada ka volframi sihtmärgi jõudlust.
3. Rullimise mõju sihtmärgile Pjõudlus
Volframi sihtmaterjalide tiheduse parandamiseks ja volframi sihtmaterjalide töötlemisstruktuuri saamiseks tuleb volframi sihtmaterjalide valtsimine keskmisel temperatuuril läbi viia ümberkristallimistemperatuurist madalamal.Kui sihttooriku valtsimistemperatuur on kõrge, on sihttooriku kiudude struktuur paksem, sihttooriku oma aga peenem.Kui kuumvaltsimise saagis on üle 95%.Ehkki erineva paagutamise algse tera või valtsimistemperatuuri põhjustatud kiustruktuuri erinevus kõrvaldatakse, moodustub sihtmärgi sees homogeensem kiu struktuur, nii et mida kõrgem on sooja valtsimise töötlemiskiirus, seda parem on sihtmärgi jõudlus.
Postitusaeg: mai-05-2022