Ränipõhist fotoonikat peetakse praegu manustatud side järgmise põlvkonna fotoonikaplatvormiks.Kompaktsete ja väikese võimsusega optiliste modulaatorite väljatöötamine on aga endiselt väljakutse.Siin teatame hiiglaslikust elektro-optilisest efektist Ge / SiGe ühendatud kvantkaevudes.See paljutõotav efekt põhineb anomaalsel kvant-Starki efektil, mis on tingitud elektronide ja aukude eraldiseismisest ühendatud Ge / SiGe kvantkaevudes.Seda nähtust saab kasutada valgusmodulaatorite jõudluse oluliseks parandamiseks võrreldes seni ränifotoonikas välja töötatud standardsete lähenemisviisidega.Oleme mõõtnud murdumisnäitaja muutusi kuni 2, 3 × 10-3 1, 5 V eelpinge korral vastava modulatsiooni efektiivsusega VπLπ 0, 046 Vcm.See demonstratsioon sillutab teed tõhusate kiirete faasimodulaatorite väljatöötamiseks, mis põhinevad Ge/SiGe materjalisüsteemidel.
Postitusaeg: juuni-06-2023