Nagu me kõik teame, kasutatakse vaakumkatmisel tavaliselt vaakumaurustamist ja ioonpihustamist.Mis vahe on aurustuskattel ja pihustuskattel?Järgmisena jagavad meiega RSM-i tehnilised eksperdid.
Vaakumaurustuskate on aurustatava materjali kuumutamine teatud temperatuurini takistuskuumutuse või elektronkiire ja laserpommitamise abil keskkonnas, mille vaakumaste on vähemalt 10-2Pa, nii et molekulide soojusvibratsiooni energia või aatomite sisaldus materjalis ületab pinna sidumisenergiat, nii et suur hulk molekule või aatomeid aurustub või sublimeerub ja sadestub otse substraadile, moodustades kile.Ioonpihustuskate kasutab elektrivälja toimel gaaslahendusel tekkivate positiivsete ioonide kiiret liikumist, et pommitada sihtmärki katoodina, nii et sihtmärgis olevad aatomid või molekulid pääsevad välja ja sadestuvad kaetud tooriku pinnale. vajalik film.
Kõige sagedamini kasutatav vaakum-aurustuskatte meetod on takistusküte, mille eeliseks on lihtne struktuur, madal hind ja mugav töö;Puuduseks on see, et see ei sobi tulekindlate metallide ja kõrge temperatuuriga dielektriliste materjalide jaoks.Elektronkiirküte ja lasersoojendus võivad ületada takistuskütte puudused.Elektronkiire kuumutamisel kasutatakse fokuseeritud elektronkiirt pommitatud materjali otseseks soojendamiseks ja elektronkiire kineetiline energia muutub soojusenergiaks, mis paneb materjali aurustuma.Laserküte kasutab kütteallikana suure võimsusega laserit, kuid suure võimsusega laseri kõrge hinna tõttu saab seda praegu kasutada vaid üksikutes uurimislaborites.
Pihustamise tehnoloogia erineb vaakumaurustamise tehnoloogiast."Purumine" viitab nähtusele, mille käigus laetud osakesed pommitavad tahket pinda (sihtmärki) ja panevad tahked aatomid või molekulid pinnalt välja paiskuma.Enamik eralduvaid osakesi on aatomi olekus, mida sageli nimetatakse pihustatud aatomiteks.Sihtmärgi pommitamiseks kasutatavad pihustatud osakesed võivad olla elektronid, ioonid või neutraalsed osakesed.Kuna ioone on elektrivälja all lihtne kiirendada, et saada vajalik kineetiline energia, kasutab enamik neist ioone pommitatud osakestena.Pommitamisprotsess põhineb hõõgumisel, st pihustusioonid pärinevad gaaslahendusest.Erinevad pihustustehnoloogiad kasutavad erinevaid hõõglahendusrežiime.DC-dioodide pihustamine kasutab alalisvoolu hõõglahendust;Trioodpihustamine on hõõglahendus, mida toetab kuum katood;RF pommitamine kasutab RF hõõglahendust;Magnetroni pihustamine on hõõglahendus, mida juhib rõngakujuline magnetväli.
Võrreldes vaakumaurustuskattega on pihustuskattel palju eeliseid.Näiteks võib pihustada mis tahes ainet, eriti kõrge sulamistemperatuuri ja madala aururõhuga elemente ja ühendeid;Pihustatud kile ja aluspinna nake on hea;Kõrge kiletihedus;Kile paksust saab kontrollida ja korratavus on hea.Puuduseks on see, et seadmed on keerulised ja nõuavad kõrgepingeseadmeid.
Lisaks on aurustamismeetodi ja pihustusmeetodi kombinatsiooniks ioonplaatimine.Selle meetodi eelised seisnevad selles, et saadud kilel on tugev nakkumine aluspinnaga, kõrge sadestuskiirus ja suur kiletihedus.
Postitusaeg: 20. juuli 2022