Hiljuti küsisid paljud sõbrad molübdeeni pihustusobjektide omaduste kohta.Millised on nõuded molübdeeni pihustusobjektide omadustele elektroonikatööstuses, et parandada pihustusefektiivsust ja tagada sadestatud kilede kvaliteet?Nüüd selgitavad meile seda RSM-i tehnilised eksperdid.
1. Puhtus
Kõrge puhtusaste on molübdeeni pihustusobjekti põhinõue.Mida kõrgem on molübdeeni sihtmärgi puhtus, seda parem on pihustatud kile jõudlus.Üldiselt peaks molübdeeni pihustusobjekti puhtus olema vähemalt 99,95% (massiosa, sama allpool).Kuid LCD-tööstuses klaasaluse suuruse pideva parandamisega tuleb juhtmestiku pikkust pikendada ja joonelaiust peenema.Kile ühtluse ja juhtmestiku kvaliteedi tagamiseks on vaja vastavalt suurendada ka molübdeeni pihustusobjekti puhtust.Seetõttu peab pihustusklaasi substraadi suuruse ja kasutuskeskkonna järgi molübdeeni pihustusobjekti puhtus olema 99,99–99,999% või isegi kõrgem.
Molübdeeni pihustussihtmärki kasutatakse pihustamisel katoodallikana.Sadestunud kilede peamised saasteallikad on tahkis ja hapnik ning veeaur poorides.Lisaks väheneb elektroonikatööstuses algse seadme jõudlus, kuna leelismetalliioonid (Na, K) muutuvad isolatsioonikihis kergesti liikuvateks ioonideks;Sellised elemendid nagu uraan (U) ja titaan (TI) eralduvad α-röntgenikiirguses, mille tulemuseks on seadmete pehme rike;Raua- ja nikliioonid põhjustavad liidese lekkeid ja hapnikuelementide suurenemist.Seetõttu tuleb molübdeeni pihustusobjekti ettevalmistamise protsessis neid lisandite elemente rangelt kontrollida, et minimeerida nende sisaldust sihtmärgis.
2. Tera suurus ja suurusjaotus
Üldiselt on molübdeeni pihustusobjektiks polükristalliline struktuur ja tera suurus võib ulatuda mikronist millimeetrini.Katsetulemused näitavad, et peeneteralise sihtmärgi pihustuskiirus on kiirem kui jämedateralise sihtmärgi pihustuskiirus;Väikese tera suuruse erinevusega sihtmärgi puhul on ka ladestunud kile paksuse jaotus ühtlasem.
3. Kristallide orientatsioon
Kuna sihtaatomeid on pommitamise ajal kerge eelistatult pritsida piki aatomite lähima paigutuse suunda kuusnurkses suunas, siis suurima pommitamiskiiruse saavutamiseks suurendatakse pommitamiskiirust sageli sihtmärgi kristallstruktuuri muutmisega.Sihtmärgi kristallide suund mõjutab ka pihustatud kile paksuse ühtlust.Seetõttu on väga oluline saada kile pihustusprotsessi jaoks kindel kristallidele orienteeritud sihtstruktuur.
4. Tihendamine
Pommitamisprotsessis, kui pommitatakse väikese tihedusega pihustusobjekti, eraldub ootamatult sihtmärgi sisepoorides olev gaas, mille tulemuseks on suuremahuliste sihtmärgiosakeste või -osakeste pritsimine või kilematerjali pommitamine. sekundaarsete elektronide poolt pärast kile moodustumist, mille tulemuseks on osakeste pritsimine.Nende osakeste välimus halvendab kile kvaliteeti.Selleks, et vähendada tahke aine poore ja parandada kile jõudlust, peab pihustusobjektil olema üldiselt kõrge tihedus.Molübdeeni pihustusobjekti puhul peaks selle suhteline tihedus olema üle 98%.
5. Sihiku ja šassii sidumine
Üldjuhul tuleb molübdeeni pihustussihtmärk enne pommitamist ühendada hapnikuvaba vase (või alumiiniumi ja muude materjalide) šassiiga, et sihtmärgi ja šassii soojusjuhtivus oleks pihustusprotsessi ajal hea.Pärast sidumist tuleb läbi viia ultrahelikontroll, et tagada, et nende kahe mittesidumisala oleks alla 2%, et täita suure võimsusega pihustamise nõudeid ilma maha kukkumata.
Postitusaeg: 19. juuli 2022