Nagu me kõik teame, on sihtmaterjalide tehnoloogia arengutrend tihedalt seotud filmitehnoloogia arengutrendiga järgnevas rakendustööstuses.Kiletoodete või -komponentide tehnoloogilise täiustamisega rakendustööstuses peaks muutuma ka sihttehnoloogia.Näiteks on Ic tootjad viimasel ajal keskendunud madala eritakistusega vaskjuhtmestiku väljatöötamisele, mis peaks lähiaastatel oluliselt asendama algset alumiiniumkilet, mistõttu on vasest sihtmärkide ja nende nõutavate tõkete sihtmärkide väljatöötamine kiireloomuline.
Lisaks on viimastel aastatel lameekraan (FPD) suures osas asendanud elektronkiiretorul (CRT) põhineva arvutikuvarite ja telerite turu.See suurendab oluliselt ka tehnilist ja turunõudlust ITO sihtmärkide järele.Ja siis on veel salvestustehnoloogia.Nõudlus suure tihedusega, suure mahuga kõvaketaste ja suure tihedusega kustutatavate ketaste järele kasvab jätkuvalt.Kõik see on toonud kaasa muutusi nõudluses sihtmaterjalide järele rakendustööstuses.Järgnevalt tutvustame sihtmärgi peamisi rakendusvaldkondi ja sihtmärgi arengutrendi nendes valdkondades.
1. Mikroelektroonika
Kõigis rakendusvaldkondades on pooljuhtide tööstuses kõige rangemad kvaliteedinõuded sihtmärgiks olevatele pihustuskiledele.Nüüd on toodetud 12-tollised (300 ninaverejooksu) räniplaadid.Ühenduse laius väheneb.Räniplaatide tootjate nõuded sihtmaterjalidele on suuremahuline, kõrge puhtusastmega, madala segregatsiooniga ja peeneteraline, mis eeldab, et sihtmaterjalidel on parem mikrostruktuur.Kristalliliste osakeste läbimõõtu ja sihtmaterjali ühtlust on peetud kile sadestumise kiirust mõjutavateks võtmeteguriteks.
Alumiiniumiga võrreldes on vasel suurem elektromobiilsuse takistus ja madalam takistus, mis vastab juhtmetehnoloogia nõuetele submikronilises juhtmestikus alla 0,25 um, kuid see toob kaasa muid probleeme: vase ja orgaanilise keskmise materjali vaheline madal haardumistugevus.Pealegi on sellele lihtne reageerida, mis viib kiibi kasutamise ajal vasest ühenduse korrosiooni ja vooluringi katkemiseni.Selle probleemi lahendamiseks tuleks vase ja dielektrilise kihi vahele asetada tõkkekiht.
Vasevahelise ühenduse tõkkekihis kasutatavad sihtmaterjalid on Ta, W, TaSi, WSi jne. Kuid Ta ja W on tulekindlad metallid.Seda on suhteliselt raske valmistada ning alternatiivsete materjalidena uuritakse sulameid nagu molübdeen ja kroom.
2. Ekraani jaoks
Lameekraan (FPD) on aastate jooksul oluliselt mõjutanud elektronkiiretorul (CRT) põhinevat arvutimonitoride ja telerite turgu ning juhib ka tehnoloogiat ja turu nõudlust ITO sihtmaterjalide järele.Tänapäeval on kahte tüüpi ITO sihtmärke.Üks on indiumoksiidi ja tinaoksiidi pulbri nanomeetri oleku kasutamine pärast paagutamist, teine on indium-tinasulami sihtmärk.ITO-kilet saab valmistada indiumi-tinasulamist sihtmärgi alalisvoolureaktiivse pihustamisega, kuid sihtpind oksüdeerub ja mõjutab pihustuskiirust ning suure suurusega sulami sihtmärki on raske saada.
Tänapäeval kasutatakse üldiselt ITO sihtmaterjali tootmiseks esimest meetodit, milleks on magnetroni pihustusreaktsiooni abil pihustuskate.Sellel on kiire ladestuskiirus.Kile paksust saab täpselt kontrollida, juhtivus on kõrge, kile konsistents on hea ja aluspinna nakkuvus on tugev.Kuid sihtmaterjali on raske valmistada, kuna indiumoksiid ja tinaoksiid ei paagutu kergesti kokku.Üldjuhul valitakse paagutamislisanditeks ZrO2, Bi2O3 ja CeO ning võib saada sihtmaterjali, mille tihedus on 93% ~ 98% teoreetilisest väärtusest.Sel viisil moodustatud ITO-kile jõudlusel on suurepärane suhe lisanditega.
Sellise sihtmaterjali kasutamisega saadud ITO-kile blokeerimistakistus ulatub 8,1 × 10n-cm, mis on lähedane puhta ITO-kile takistusele.FPD ja juhtiva klaasi suurus on üsna suur ning juhtiva klaasi laius võib ulatuda isegi 3133 mm-ni.Sihtmaterjalide kasutamise parandamiseks töötatakse välja erineva kujuga, näiteks silindrilise kujuga ITO sihtmaterjalid.2000. aastal lisasid Riiklik Arengu Planeerimise Komisjon ning Teadus- ja Tehnoloogiaministeerium ITO suured eesmärgid praegu prioriteetsete infotööstuse võtmevaldkondade juhendisse.
3. Ladu kasutamine
Salvestustehnoloogia osas nõuab suure tihedusega ja suure mahutavusega kõvaketaste väljatöötamine suurt hulka hiiglaslikke reluktantskilematerjale.CoF ~ Cu mitmekihiline komposiitkile on laialdaselt kasutatav hiiglasliku vastumeelsuskile struktuur.Magnetketta jaoks vajalik TbFeCo sulamist sihtmaterjal on veel väljatöötamisel.TbFeCo-ga valmistatud magnetkettal on suur mälumaht, pikk kasutusiga ja korduv kontaktivaba kustutatavus.
Antimoni-germaaniumtelluriidil põhinev faasimuutusmälu (PCM) näitas märkimisväärset kaubanduslikku potentsiaali, muutub NOR-välkmälu- ja DRAM-turu osaks alternatiivseks salvestustehnoloogiaks, kuid rakendamisel, mida kiiremini vähendati, on üks väljakutseid, mida pole vaja lähtestada. praegust tootmist saab veelgi langetada täielikult suletud üksus.Lähtestamise voolu vähendamine vähendab mälu energiatarbimist, pikendab aku kasutusaega ja parandab andmeside ribalaiust – kõik tänapäeva andmekesksete, väga kaasaskantavate tarbijaseadmete olulised funktsioonid.
Postitusaeg: august 09-2022